增强型MOS管(N沟道)
TPCA8057-H/TLP628(GB,F) 分立晶体管
2020-04-28 16:53  浏览:206
价格:¥5.00/pcs
品牌:Toshiba
工作温度:150°C(TJ)
漏源电压:30V
安装类型:表面贴装型
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供应:5000pcs
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TPCA8057-H/TLP628(GB,F) 分立晶体管:

产品规格:
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 42A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 2.6 毫欧 @ 21A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 61nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 10V
功率耗散(最大值) 1.6W(Ta),57W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SOP Advance(5x5)
封装/外壳 8-PowerVDFN

应用
高效DC-DC转换器
笔记本电脑
移动设备

特点
体积小巧,占用空间小
高速切换
小栅极电荷:QSW = 14 nC(典型值)
低漏源导通电阻:RDS(ON)= 2.6mΩ(典型值)
  低泄漏电流:IDSS = 10 µA(最大值)(VDS = 30 V)
增强模式:Vth = 1.3至2.3 V

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